Your cart
Nu mai sunt produse in cosul tau
Tranzistori MOSFET, JFET, IGBT
Specificatii tehnice:
• Producător: VISHAY
• Tip tranzistor: N-MOSFET
• Polarizare: unipolar
• Tensiune drenă-sursă: 30V
• Curent drenă: 86A
• Putere: 79W
• Carcasă: DRAK
• Tensiune poartă-sursă: ±20V
• Rezistenţă în timpul funcţionării: 6.5mΩ
• Rezistenţa termică conector-carcasă: 1.9K/W
• Montare: SMD
• Încărcătură poartă: 17nC
Save products on your wishlist to buy them later or share with your friends.