Your cart
Nu mai sunt produse in cosul tau
Tranzistori MOSFET, JFET, IGBT
Specificatii tehnice:
• Tip tranzistor: N-MOSFET
• Polarizare: unipolar
• Tensiune drenă-sursă: 75V
• Curent drenă: 209A
• Putere: 330W
• Carcasă: TO247AC
• Tensiune poartă-sursă: ±20V
• Rezistenţă în timpul funcţionării: 4,5mΩ
• Rezistenţa termică conector-carcasă: 0,45K/W
• Montare: THT
Save products on your wishlist to buy them later or share with your friends.